型号:SIHB30N60E-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
系列 | - |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 29A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 125 毫欧 @ 15A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 130nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 2600pF @ 100V |
功率_最大 | 250W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D²PAK |
包装 | 管件 |
供应商
深圳德田科技有限公司 | 李小姐86-0755-83254070/18680328178 |
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SIHB30N60E-GE3相关型号
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14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
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PUSHBUTTON SWITCH GUARD
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Cornell Dubilier Electronics (CDE)
径向,Can - 卡入式
CAP ALUM 5600UF 35V 20% SNAP
- MG12A
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APEM Components, LLC
不锈钢
PUSHBUTTON SWITCH GUARD
- SIHB24N65E-E3
FET - 单
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TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
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- RP1005S-R27-F
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- SLPX562M063E5P3
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Cornell Dubilier Electronics (CDE)
径向,Can - 卡入式
CAP ALUM 5600UF 63V 20% SNAP
- SI4447DY-T1-E3
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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- RP1005S-R27-G
芯片电阻 - 表面安装
Susumu
0402(1005 公制)
RES .27 OHM 1/6W 2% 0402
- MIC2583-MYQS
PMIC - 热交换
Micrel Inc
16-SSOP(0.154",3.90mm 宽)
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FET - 单
Vishay Siliconix
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- MG12B
配件
APEM Components, LLC
不锈钢
PUSHBUTTON SWITCH GUARD
- SLPX562M100H4P3
电容器
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
径向,Can - 卡入式
CAP ALUM 5600UF 100V 20% SNAP
- SI4447DY-T1-E3
FET - 单
Vishay Siliconix
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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0402(1005 公制)
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